Производители полупроводников семимильными шагами движутся в сторону более совершенных техпроцессов. Главным инноватором в этой области можно смело назвать тайваньского чипмейкера Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), который, чтобы вновь обогнать своего главного конкурента в лице Samsung, готов пойти на рискованный шаг и начать выпуск чипов по 3-нанометровым нормам уже в следующем году.

По данным осведомлённых источников, TSMC планирует начать рисковое производство чипов на 3-нанометровом техпроцессе в 2021 году. В новом техпроцессе будут использовать транзисторы FinFET, поскольку переход на GAA решено отложить до внедрения 2-нанометровых норм. TSMC заявляет, что её 3-нанометровый техпроцесс обеспечит 10-15-процентный прирост производительности и одновременно увеличит энергоэффективность на 20-25%. Одним из 3-нанометровых процессоров, выпуском которого займётся TSMC, будет Apple A16 для нового поколения iPhone. Его производство стартует в 2022 году.

А пока TSMC успешно внедряет 5-нанометровые нормы. В этом году компания займётся выпуском чипов A14 Bionic и HiSilicon Kirin 1020 по заказу Apple и Huawei. Оба процессора будут выполнены с использованием 5-нанометрового технологического узла TSMC и количество транзисторов внутри них вырастет примерно на 77%, что сделает их боле мощными и энергоэффективными по сравнению с 7-нанометровыми чипами, на смену которым они придут. 

Стоит отметить, что чем больше транзисторов внутри чипа, тем он мощнее и энергоэффективнее. Примерно раз в два года плотность транзисторов увеличивается почти вдвое, что позволяет производителям выпускать всё более мощные устройства. Например, в Apple A14 Bionic будет примерно 15 млрд транзисторов против 8,5 млрд транзисторов у A13 Bionic и 6,9 млрд у A12 Bionic. Если всё пойдёт по плану, то iPhone 12 станет первым смартфоном на рынке на базе 5-нанометрового чипа.