Samsung объявила о 1 терабайте памяти в Galaxy S10

Хотя японская компания Toshiba и сообщила о том, что ведется процесс разработки UFS 3.0, корейский гигант Samsung пока что планирует оставаться на UFS 2.1 некоторое время, прежде чем полностью перейдет на новое поколение. Samsung заявил, что выпустит смартфон с самым большим объемом памяти в 1 терабайт. И это заявление было за несколько недель до официального анонса 10 поколения серии Galaxy S на борту которого будет 12 гигабайт ОЗУ и 1 терабайт ПЗУ.
1ТБ чип eUFS 2.1 имеет монокристальную архитектуру и с гордостью может похвастаться увеличенными скоростями записи и чтения данных, если сравнивать с eUFS 2.1 объёмом 512 ГБ. Чип объемом в 1 ТБ показывает результаты последовательного чтения и записи до 1000 МБ\с и до 260 МБ\с соответственно, скорость произвольного чтения и записи достигает 58 000 IOPS и 50 000 IOPS соответственно. И все это несомненно гораздо быстрее, чем все, что Samsung делала ранее.
Так же южнокорейский гигант объявил о запуске производства, и планируется расширить производство V-NAND 512Gb 5 версии на мощностях своих заводов уже в первой половине 2019 года. Всё это сделано исходя из прогнозов, которые говорят о высоком спросе на eUFS объемом 1 ТБ. И судя по всему в этом заинтересованы практически все производители мобильной техники. А отсюда следует, что совсем скоро мы сможем наблюдать наплыв новинок с внушительным объемом памяти 1 терабайт.