По всей видимости, Samsung Electronics устала терпеть собственное отставание в сфере освоения литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), а потому на этой неделе компания объявила о запуске первых производственных мощностей, способных выпускать 7-нм продукцию с применением EUV-литографии. Так называемый LPP-техпроцесс ориентирован преимущественно на выпуск изделий телекоммуникационной и мобильной сферы, тем не менее компания сообщает о возможности его адаптации под нужды серверного сегмента. 
В отличие от обычного техпроцесса с использованием 193-нм лазера и фторида аргона, EUV-версия 7-нм технологии позволяет использовать всего одну фотомаску вместо четырёх для получения одного слоя полупроводниковых элементов. Это сокращает материальные затраты и ускоряет обработку кремниевых пластин. В среднем, количество необходимых фотомасок сокращается на 20%. Плотность размещения полупроводников увеличивается на 40%, можно на 20% повысить быстродействие транзисторов по сравнению с 10-нм технологией, либо на 50% снизить уровень энергопотребления. 
К 2020 году Samsung обещает расширить производственные мощности, способные выпускать продукцию с применением EUV-литографии. Клиентам Samsung необходимая для разработки 7-нм продуктов экосистема тоже доступна. Они смогут использовать данный техпроцесс в сочетании с памятью типа HBM2 и её улучшенным вариантом.