В конце недели компания Samsung провела мероприятие Tech Day, на котором, в частности, раскрыла планы по выпуску новых моделей SSD на новейшей 96-слойной памяти 3D NAND TLC и 3D NAND QLC (с четырёхбитовой ячейкой). Для проформы уточним, 96-слойная 3D NAND TLC компании Samsung на самом деле имеет несколько меньше слоёв. Компания официально не уточняет сколько, но, по слухам, 92 слоя, так как блок чипа собирается из двух 48-слойных кристаллов, и в месте соединения слои разрушаются. Но это так, для понимания. 

Итак, несмотря на использование новой памяти, контролер для SSD не изменился. Модели PM981 и 970 EVO на 64-слойной памяти 3D NAND получат замену в виде моделей PM981a и 970 EVO Plus, соответственно, на 96-слойной 3D NAND. Диапазон емкостей останется тем же: от 250 Гбайт до 2 Тбайт. Наиболее значимым изменением станет улучшение устоявшейся скорости записи, а модель PM981a также покажет прогресс в росте скорости записи случайных блоков. Благодаря этому PM981a фактически вторгнется в сферу производительности 970 EVO и 970 EVO Plus. 

Накопитель PM983 для ЦОД использует тот же контроллер Samsung Phoenix, что и клиентские SSD компании. Он будет заменён моделью PM983a и удвоит предлагаемую ёмкость до 16 Тбайт (в формфакторах NF1 и U.2). Производительность новинок также улучшится, но не так сильно, как в случае клиентских SSD, которые используют буфер из памяти SLC. 

Клиентский однокорпусной SSD BGA NVMe PM971a в лице обновлённой модели PM991 обещает почти удвоить скорость случайной записи в IOPS и скорость устоявшейся записи, а также на 50 % увеличит устоявшуюся скорость чтения. 

Корпоративные SSD Samsung с интерфейсом SAS не получат каких-либо значительных изменений в производительности или в ёмкости, но обновление с PM1643 на PM1643a улучшит скорость случайной записи до 20 %, что тоже неплохо. Особенно для модели с максимальной ёмкостью 30,72 Тбайт. 

Что касается SSD на новой памяти 3D NAND QLC, то для них Samsung вводит обозначение BM, как обозначение PM введено для моделей на памяти 3D NAND TLC. Компания готовит накопители BM1733 и BM9A3, корпоративные BM1653 с поддержкой SAS и клиентские BM991 с поддержкой NVMe. 

Отдельно в компании рассказали, что во втором квартале 2019 года начнётся выпуск улучшенной 512-Гбит памяти 3D NAND QLC. По сравнению с актуальной 1-Тбит 3D NAND QLC память меньшего объёма будет обладать сниженными на 37 % задержками чтения и на 45 % меньшими задержками (записи).